دیتاشیت NTD5865NL-1G-VB

NTD5865NL-1G-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTD5865NL-1G-VB
حجم فایل 64.634 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NTD5865NL-1G-VB

NTD5865NL-1G-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec NTD5865NL-1G-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 46nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.65nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 325pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,20A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: VBsemi Elec

دیتاشیت محصولات مشابه